第三代半導體作為一種理想的半導體材料，在新一代信息技術、新基建等領域得到了愈發(fā)廣泛的應用。根據(jù)CASA（第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟） Research數(shù)據(jù)顯示，2020年，我國第三代半導體產(chǎn)業(yè)整體總產(chǎn)值約7100億元，其中約7000億是LED相關產(chǎn)業(yè)，市場相對成熟；而SiC、GaN電力電子和GaN微波射頻產(chǎn)值加起來約100 億元，但同比增長分別達到54%和80.3%。截至2020年底，國內(nèi)從事第三代半導體電力電子和微波射頻的企業(yè)超過170家，雖然整體產(chǎn)業(yè)規(guī)模和市場份額還較小，但是增長空間巨大，極具應用潛力，政策也在加碼扶持。
對于國內(nèi)企業(yè)而言，要獲取市場信任，檢測是證明第三代半導體質(zhì)量與可靠性的可行手段，同時也是提高其質(zhì)量可靠性的重要保障。為了更好地為行業(yè)解讀第三代半導體檢測需求，本文特邀廣電計量元器件篩選與失效分析中心總監(jiān)李汝冠博士分享其對第三代半導體的認識。
李汝冠 廣電計量元器件篩選與失效分析中心總監(jiān)
電子科技大學博士，高級工程師，半導體相關領域近10年工作經(jīng)驗，曾獲工信部“國防科技進步二等獎”，廣東省人社廳“2020年度廣東省百名博士博士后創(chuàng)新人物”，主持省部級科研項目三項、參與重大課題研究六項，授權(quán)國家發(fā)明專利7件、實用新型專利1件，發(fā)表學術論文二十余篇，其中SCI收錄15篇。
① 第三代半導體是什么？
目前國內(nèi)將半導體劃分為第一代、第二代和第三代。
第一代半導體指的是硅（Si）和鍺（Ge）元素半導體，以Si為主。目前世界上Si占半導體器件的95%以上，99%的集成電路都是由Si材料制作的。
第二代半導體材料以砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP）化合物半導體為主，GaAs技術相對成熟已廣泛應用于信息通信產(chǎn)業(yè)，但由于原材料昂貴且具有毒性所以具有一定的局限性。InP主要用于光纖通訊技術和毫米波通訊，但是高質(zhì)量的InP 單晶的制備更加困難，InP比GaAs更加昂貴。
第三代半導體也就是寬禁帶半導體，包括氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）、氮化鋁（AlN）、氧化鋅（ZnO）、氧化鉀（Ga2O3）、金剛石等。Ga2O3又被稱為超寬禁帶半導體，金剛石被成為“終極半導體”； 最具代表性、目前最具發(fā)展?jié)摿Φ牡谌雽w是GaN和SiC；第三代半導體雖是一種很理想的半導體材料，但存在著生長困難、大尺寸技術未成熟、良率低、成本高等問題。
② 第三代半導體和第一代、第二代半導體的關系是什么？
需要指出的是，第三代并不是要完全替代第一代、第二代的意思。因第三代半導體是在一些場合中具有比Si器件明顯的優(yōu)勢，而成為新一代信息技術產(chǎn)業(yè)和新基建的七大領域不可或缺的半導體材料。
圖：各種半導體禁帶寬度示意圖
上圖體現(xiàn)了第一代、第二代、第三代半導體之間禁帶寬度的差異--第三代半導體的禁帶寬度幾乎是前面兩者的3倍。這為第三代半導體帶來許多優(yōu)勢，簡單來講就是第三代半導體器件有“三高”：高頻率、高功率、高耐溫。同時第三代半導體在應用上能夠降低能耗、減小體積、減小重量，簡單來說是有三低：能耗低、體積小、重量輕。
③ 第三代半導體的應用領域及優(yōu)勢
第三代半導體在新基建七大領域都有其廣泛的應用前景。在5G基站領域， GaN PA（即氮化鎵功率放大器）是5G基站的最優(yōu)選擇，預計在2025年前，我國 5G 宏基站預計將建設超過500萬站，而5G宏基站、微基站、及毫米波基站帶來的GaN PA 市場規(guī)模將超過1000億元，而特高壓、高鐵和軌交、充電樁、大數(shù)據(jù)中心等高壓大功率領域都將是SiC的天下。
同時第三代半導體對實現(xiàn)“碳達峰、碳中和”起到至關重要的作用。
④ 第三代半導體檢測需求
未來 5 年將是第三代半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的關鍵期。然而，產(chǎn)業(yè)的發(fā)展與前進通常是在曲折中探索，其中一個需要解決的就是信任問題。第三代半導體及器件為新材料、新器件、新技術，如何證明其質(zhì)量與可靠性已具備使用條件？而這背后的實質(zhì)，則是缺乏長期、大規(guī)模應用的歷史數(shù)據(jù)。產(chǎn)業(yè)技術的發(fā)展尤為依賴大量檢測數(shù)據(jù)支撐（性能測試、可靠性評估試驗、分析表征等）。
目前第三代半導體的檢測需求包含性能測試、可靠性評估試驗、分析表征等一般性測試，同時由于第三代半導體的特點，目前國內(nèi)外也提出了一些針對與第三代半導體的特殊檢測需求。
|
大分類
|
項目
|
簡稱(涉及到的相關內(nèi)容)
|
|
性能參數(shù)測試
|
靜態(tài)參數(shù)測試
|
BVDSS/VGS(th)/IDSS/IGSS/RDS(on)/gfs/Cies/Coes/Cres……
|
|
動態(tài)參數(shù)測試
|
td(on) / td(off) / Tr / tf / Eon / Eoff / QG / Trr / Qrr……
|
|
極限能力測試
|
IFRM、IFSM、UIS
|
|
微波參數(shù)測試
|
RL / IL / Gain / Pout / Efficiency……
|
|
ESD測試
|
HBM/CDM/TLP
|
|
專用測試
|
/
|
|
可靠性評估
|
濕熱試驗
|
TH/UHAST/Autoclave
|
|
高溫高濕反偏試驗
|
H3TRB/HAST/AC-HTC
|
|
溫度循環(huán)試驗
|
TC
|
|
功率循環(huán)試驗
|
PC/IOL
|
|
高溫工作壽命試驗
|
HTRB/HTGB/HTOL/RF-HTOL
|
|
高低溫貯存試驗
|
HTSL/LTSL
|
|
低壓試驗
|
LPT
|
|
超長時間連續(xù)試驗
|
/
|
|
分析儀器
|
無損分析
|
X-Ray/SAT
|
|
熱分析
|
Electrical method/ Infrared radiation/ Raman scattering/ Thermoreflectance imaging
|
|
元素成分分析
|
EDS/XPS/SIMS
|
|
結(jié)構(gòu)分析
|
XRD/Raman
|
|
材料形貌分析
|
SEM/TEM/AFM
|
|
缺陷定位分析
|
EMMI/OBIRCH
|
|
微區(qū)定點制樣
|
DB-FIB
|
第三代半導體特殊檢測需求，主要包括電流崩塌、動態(tài)參數(shù)、柵氧缺陷的參數(shù)分離、高壓H3TRB及高壓HAST、動態(tài)H3TRB、超高溫的溫度循環(huán)、超高溫的高溫工作、超長時間連續(xù)試驗、熱分析技術、SiC MOS體二極管雙極性退化、SiC MOS偏壓溫度不穩(wěn)定性等等。
l 電流崩塌 ：GaN HEMT特有的電流崩塌現(xiàn)象，需要準確評估 。
l 動態(tài)參數(shù)測試：SiC及GaN FET有更快的開關速度及邊緣速率，在動態(tài)參數(shù)測試設備開發(fā)上面臨新的挑戰(zhàn)，如何確保測試結(jié)果的可重復性及可靠性是急需攻克的難題
l 柵氧缺陷的參數(shù)分離 ：SiC MOS柵氧缺陷的參數(shù)分離分析系統(tǒng)，由于柵氧界面附近缺陷的作用，相比于Si器件，SiC MOSFET器件的性能不穩(wěn)定問題是一個突出的新問題。柵氧界面缺陷及性能不穩(wěn)定性是SiC MOSFET器件性能評測的重要參數(shù)，開發(fā)其測試技術和測試裝備不但對于器件性能評測，而且對于指導優(yōu)化制造工藝具有非常重要的作用和實際意義。
對于其它特殊測試，由于篇幅受限，歡迎點擊下方獲取詳細課件，了解全部第三代半導體檢測需求。
點擊下載：https://app.jingsocial.com/microFrontend/leadGeneration/jsf-leads/list/contentMarketing/M55Px6tfXK7BS3w5XEsds5/5ozkEJVxQ54Dx3bdcDeavB
⑤ 廣電計量解決方案
第三代半導體具有廣泛的應用，已成為戰(zhàn)略物資，被美國列入301管制清單。檢測是提高半導體器件質(zhì)量與可靠性的重要保障，廣電計量作為國有檢測機構(gòu)，在我國第三代半導體發(fā)展過程中，秉承國企擔當，為光電子、電力電子、微波射頻等第三代半導體三大應用領域構(gòu)筑了較為全面的能力。目前，廣電計量在光電子檢測領域合作客戶數(shù)十家，涉及型號近百個；在電力電子領域，覆蓋了現(xiàn)行所有可靠性測試標準，單在SiC領域合作客戶十余家，涉及產(chǎn)品型號超過30個；在微波射頻領域，助力完成國內(nèi)第一個車規(guī)標準的微波射頻的測試，并向更高頻率、更高功率領域布局。